MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀基于激光干涉原理，激光干涉儀是高精度、高靈敏度的測(cè)量?jī)x器，廣泛應(yīng)用在先進(jìn)制造領(lǐng)域。MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀采用了自主研發(fā)的高度集成化的激光傳感平臺(tái)，以工業(yè)應(yīng)用中最重要的線型標(biāo)定為核心,將干涉儀的參考光路內(nèi)置于干涉儀中，將光學(xué)相干光路等集成在單個(gè)光電芯片上，一步實(shí)現(xiàn)激光干涉儀的線型測(cè)長(zhǎng)和標(biāo)定功能，從而簡(jiǎn)化了干涉儀系統(tǒng)測(cè)試時(shí)的復(fù)雜程度。

MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀半導(dǎo)體典型應(yīng)用

●超高精度位置跟蹤應(yīng)用

在光刻過程中,分辨率是反映光刻機(jī)理論上可識(shí)別的最小特征尺寸的重要指標(biāo),也決定著運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的控制精度。由于整個(gè)曝光過程中要求系統(tǒng)以恒定的速度運(yùn)行,對(duì)速度的均勻性要求較高,因此對(duì)控制的精度的要求更為苛刻,通常情況下,勻速性由跟蹤誤差反映,無掩模掃描式光刻系統(tǒng)的控制要滿足納米級(jí)精度, 工件臺(tái)自身的控制也要求達(dá)到該數(shù)量級(jí)，并且工件臺(tái)控制系統(tǒng)的跟蹤定位精度也是影響套刻精度的重要因素,預(yù)防反復(fù)曝光芯片刻蝕過程中,發(fā)生偏離導(dǎo)致電路圖案扭曲影響芯片性能。

l  平面檢測(cè)

在光刻測(cè)量過程中,硅片在高速運(yùn)動(dòng)情況下,容易發(fā)生形變,從而影響硅片的平面度,降低光刻精度。為了優(yōu)化硅片平臺(tái)的操作模式,需要一種納米級(jí)超高精度、無接觸的形變量測(cè)量方式。